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【成電EMC2論壇 第055期】二維半導體晶體管構筑
發布日期:2020-11-04作者: 審核人:牛曉濱

題  目: 二維半導體晶體管構筑

主講人: 廖 蕾 教授

主持人: 林 媛 教授

時  間:2020年116日(周五),9:10 AM 

地  點:沙河校區電子樓137會議室

主講人簡介:

廖蕾,湖南大學教授。2004年,獲武漢大學物理學院材料物理專業學士學位;2009年,獲武漢大學材料物理與化學專業博士學位,其間,在中國科學院物理研究所聯合培養。2009年至2011年,在加州大學洛杉磯分校進行博士后工作,2011年7月份至2016年12月在武漢大學物理學院工作,2017年1月加入湖南大學物理與微電子科學學院。在Nature、Nature Electron.、Nature Commun.、PNAS、和Nano Lett.等學術期刊發表SCI論文200余篇,H因子66,他人引用大于10000次。授權中國發明專利5項。入選英國工程技術學會會士(IET Fellow)和科睿唯安全球高被引學者。獲批國家自然科學基金委杰出青年基金、萬人計劃“青年拔尖人才”以及湖南省創新科學研究群體等。

講座內容:

晶體管是現代信息技術中最重要的發明之一,是所有現代電路的關鍵主動元件。一直以來,晶體管沿著摩爾定律的方向不斷發展,縮小器件特征尺寸,增快器件開關速度。但是隨著晶體管的溝道長度縮短至10納米,短溝道效應和量子限域效應帶來的影響已經不能忽略,溝道長度縮短與器件性能提升不能完全對應。因此為了保持晶體管的繼續發展和克服短溝道效應帶來的影響,對半導體材料的質量要求越來越高,厚度要求越來越薄。二維半導體材料成為克服短溝道效應的潛在候選之一。

報告將介紹二維半導體的異質集成與器件構筑;采用范德華異質集成和超薄緩沖層方法,抑制傳統沉積技術產生的缺陷,降低柵介質/二維材料的界面缺陷密度,削弱金屬/二維材料的釘扎效應,獲得了高質量的器件界面。上述工作為二維半導體器件設計與構建提供了一些新思路。

 熱忱歡迎廣大師生積極參與!

 

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